Spectroscopy Cameras

OMA V

近红外探测的领导者

研究人员可以使用PI的OMA V探测器对样品材料进行更深层次的探测。在这个谱段进行的研究对很多应用领域（例如对聚合物和燃料的研究）都有着至关重要的作用。2.2μm波长上的灵敏度对于分析潮湿类物质很重要。

我们最新的OMA V系统所使用的InGaAs探测器的固有暗噪声大大低于前几代的InGaAs探测器。在很多情况下，PI的OMA V 2.2μm探测器所具有的灵敏度为前几代InGaAs探测器的10倍。

由二极管激光激发的近红外拉曼图像
使用OMA V获得的CCI4拉曼光谱（2.2-μm InGaAs）
785-nm激光光，200-μm采集光纤

PI的OMA V 16-bit InGaAs探测系统配备有高灵敏度探测器，是采集光谱数据的最佳方案。由于具有同类仪器中最低的读噪声和最高的动态域，OMA V 16-bit InGaAs被认为是近红外吸收/反射光谱、近红外拉曼光谱、激光发光光谱或近红外荧光光谱应用的典范。

最佳的全域响应

我们最新的OMA V探测器使用的是线性光电二极管阵列（PDAs），以保证探测器在1.0μm至2.2μm的近红外波段内具有极好的灵敏度。另外，还有我们还提供灵敏度范围在0.8μm至1.7μm的探测器。

出色的分辨率

OMA V系列中的1024规格的探测器具有较快的光谱读出速度以及无以伦比的分辨率；而512规格的探测器则具有极快的光谱读出速度以及较好的分辨率。

分辨率对比（OMA V 1.7-μm InGaAs探测器）
（Neon光谱部分）

出众的光谱读出速度

在OMA V平台上，操作者可以以20微秒的快门速度进行持续、高速的数据采集操作，光谱读出速率可达每秒1800个谱线（512像素）或每秒900个谱线（1024像素）。如对读出速度有更高要求，可直接联系我们。

出色的制冷性能

可以通过低温制冷至-100℃从而最大程度地降低暗电流，同时保持较宽光谱范围内的低噪声性能。

PI的OMA V探测系统在较大的温度范围内均能保持出色的恒温精度，操作者可以对探测器的波长灵敏度进行相应调节。

USB2.0确保快速简便的网络连接

所有的OMA V系统均配有USB 2.0接口，可以轻松地与台式机、笔记本电脑进行连接。

卓越的解决方案

OMA V探测器可以直接安装在PI的光谱仪上。另外我们还提供对应于其他品牌光谱仪的适配器。当然，最佳的光谱解决方案是使用我们的WinSpec软件包（与Microsoft Visual Basic兼容）、用于National Instruments的LabVIEWTM的插件SITKTM以及Roper Scientific的PVCAM应用编程接口对光谱仪进行监控。

先进的仪器、专业的技能、丰富的经验：我们可以满足近红外光谱应用的所有要求

近红外光谱基础

为什么在近红外波段工作？

在近红外波段进行的研究可以有效地消除荧光背景，从而大幅改善信噪比。近红外探测器还可以透过表面对样品进行更深层次的探测。

关于近红外探测器

由于用于UV-VIS光谱成像的科学级CCD芯片中所使用的硅在1.1微米以上的光谱范围里无法提供较好的光敏性，因此在近红外成像应用中需要使用不同的材料。
InGaAs是第III-V号复合半导体，它可以在近红外波段具有极好的光敏性。改变该材料的摻杂浓度即可改变它的灵敏度。与硅不同的是，InGaAs是在一个由离散的光电二极管组成的线性矩阵上使用的——而不是在CCD芯片上。

背景消除

使用近红外探测器时，一定要对两种背景噪声进行抑制。第一种是由热产生的暗电荷所构成的背景噪声。第二种是环境背景噪声。

通过对探测器进行制冷，暗电流可以消减至可忽略的水平。环境背景噪声可以通过对探测系统的光学通路进行制冷而大幅降低。

由于InGaAs的量子效率会随着制冷的加深而发生漂移，因此，探测器的温度实际上可以用作一个可调过滤器，从而有效地将装置的灵敏度范围缩小至感兴趣的波长范围。

深度制冷OMA V型产品在整个温度范围内（例如，在-50和-100℃之间，或在-70和-120℃之间）的恒温精度可达0.05℃，您可以对探测器的灵敏度进行微调同时过滤掉不想要的背景噪声。

温度与量子效率
（InGaAs响应）

PI设计了一个可以安装在相机真空腔内的“冷盾”，从而有效地降低了热背景辐射。工厂发出的每个OMA V相机内都安装了这个“冷盾”。

其他问题

光源（例如YAG激光器和氙灯）、光谱仪、光学器件、软件以及样品腔之类的配件在光谱实验中也起着至关重要的作用。我们的应用工程师很高兴与您就近红外光谱成像应用进行深入的讨论。